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ASZM080120T

更新时间： 2024-06-27 12:08:47

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安邦 - ANBON		/
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TO-247-4

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ASZM080120T 数据手册

ASZM080120T

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

I_D@25℃

R_DS(on)TYP

75mΩ@18V

68mΩ@20V

1200V

41A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM080120T

XXXXXX

S2 S1 G

TO-247-4

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Test Condition

V_GS= 0V, I_D= 100μA

Value

1200

Unit

V_GSmax

V_GSOP

I_D

AC (f > 1 Hz)

-10/+25

-5/+20

Static

V_GS= 20V, T_C=25℃

V_GS= 20V, T_C=100℃

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_D

181

I_D,pulse

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

208

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction-to-Case

0.72

Junction Temperature

Storage Temperature

-55~ +175

℃

T_STG

Document ID

AS-3270083

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/02/26

Revision

Page.

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