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ASZM025065P

更新时间： 2024-09-24 18:07:03

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TO-247-3

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ASZM025065P 数据手册

ASZM025065P

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

I_D@25℃

V_(BR)DSS

R_DS(on)TYP.

650V

26mΩ@18V

105A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch mode power supplies

Renewable energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor drives

High voltage DC/DC converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM025065P

XXXXXX

TO-247-3

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DSmax

V_GSmax

V_GSOP

I_D

Test Condition

V_GS= 0V, I_D=100µA

Value

650

Unit

AC (f > 1 Hz)

Static

-10/+25

-4/+18

105

V_GS=18V,T_C=25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_GS=18V,T_C=100℃

I_D

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

188

340

I_D,pulse

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

341

℃/W

℃

Thermal Resistance(Typ.)

Junction Temperature

Storage Temperature

Junction-to-Case

0.44

-55 ~ +175

℃

T_STG

Document ID

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/02/20

Revision

Page.

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AS-3270076

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