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ASZM016120T

更新时间： 2024-11-10 18:07:11

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安邦 - ANBON		/
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7页	1354K
描述
TO-247-4

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ASZM016120T 数据手册

ASZM016120T

N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

I_D@25℃

R_DS(on)TYP

20mΩ@15V

16mΩ@18V

15mΩ@20V

1200V

132A

Feature

Application



Wide bandgap SiC MOSFET technology



Switch Mode Power Supplies

Renewable Energy

Low On-Resistance with High Blocking Voltage

Low Capacitances with High-Speed switching

Low reverse recovery(Qrr)

Motor Drives

High Voltage DC/DC Converters

Package

Marking

Circuit diagram

ASZM016120T

XXXXXX

TO-247-4

Absolute maximum ratings (T_C=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Symbol

V_DS

Test Condition

V_GS= 0V, I_D= 100μA

Value

1200

Unit

V_GSmax

AC (f > 1 Hz)

Static

-10/+25

-4/+15

-4/+18

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

V_GSOP

I_D

V_GS= 15V, T_C=25℃

132

V_GS= 18V, T_C=25℃

V_GS= 15V, T_C=100℃

I_D

V_GS= 18V, T_C=100℃

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 1 ms

Pulse with t_plimited by T_jmaxat 100 µs

297

708

I_D,pulse

T_C=25℃

Power Dissipation

P_D

R_θJC

T_J

595

℃/W

℃

Thermal Resistance（Typ）

Junction-to-Case

0.21

Junction Temperature

Storage Temperature

-55~ +150

℃

T_STG

Document ID

AS-3270066

Issued Date

2013/03/08

Revised Date

2024/01/12

Revision

Page.

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