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ASDM40DN60HQ

更新时间： 2024-09-16 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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6页	830K
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ASDM40DN60HQ 数据手册

ASDM40DN60HQ

40V Dual N-CHANNEL

MOSFET

ꢉꢊꢅꢆꢋꢌꢊꢍ

●

Magnachip’s MV MOSFET technology

●

N-channel, Normal level

Product Summary

●

100% UIS and Rg tested

V DS

mΩ

●

Maximum 175°C junction

temperature

●

AEC-Q101 qualified

R DS(on),Max@ VGS=10 V

I D

ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢃꢇꢈ

●

Motor inveter

●

Switching applications

PDFN 5x6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS, at T_C= 25^oC, unless otherwise specified

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

V_GS

RATING

UNIT

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

Drain current

± 20

Tc=25^oC (Silicon Limited)

Tc=25^oC (Package Limited)

Tc=100^oC

I_D

Tc=25^oC

Tc=100^oC

I_DM

P_tot

Pulsed drain current

240

Total power dissipation

^oC

E_AS

Avalanche energy, single pulse

T_j, T_stg

Operating and storage temperature

- 55 ~ 175

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

R_θJC

RATING

2.8

UNIT

^oC/W

Thermal resistance, junction - case

Thermal resistance, junction - ambient

R_θJA

100

www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2022 Version1.0

1/6

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