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ASDM40R008NHQ

更新时间： 2024-10-31 17:15:39

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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12页	3099K
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ASDM40R008NHQ 数据手册

ASDM40R008NHQ

40V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

Low gate charge

V DS

mΩ

Low Ciss

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

1.1

Fast switching

Improved dv/dt capability

RoHS 2.0 Compliant

212

Application

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

High Frequency Switching

Synchronous Rectification

PDFN5×6-8

Absolute Maximum Ratings(T_C=25℃,unless otherwise noted)

Values

Parameter

Symbol

Unit

Note/Test Conditions

Min

－

Typ

Max

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DSS

V_GS

－

-20

－

T_C=25℃

212

－

Continuous Drain Current(Package Limited)

I_D

130

848

T_C=100℃

－

Pulsed Drain Current(Note1)

Single Pulse Avalanche Energy

I_DM

E_AS

－

L=9.8µH,V_D=32V,

－

287

T_C=25℃,IAS=150A,Rg=25Ω

Maximum Power Dissipation

P_D

－

113

150

℃

T_C=25℃

－

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8"from case for 5 seconds

T_J,T_STG

-55

T_L

－

260

℃

－

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

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