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ASDM40P100Q

更新时间： 2024-11-02 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1321K
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ASDM40P100Q 数据手册

ASDM40P100Q

-40V P-Channel MOSFET

Features

Product Summary

 High switching speed

BVDSS

-40

6.5

mΩ

 Improved dv/dt capability

 Low gate charge

RDS(on)Typ.@VGS=-10V

 Low reverse transfer capacitance

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 standard

-100

Top View

DFN5*6-8

P-Channel

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A=25^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

Drain-Source Voltage

SYMBOL

V_DS

LIMIT

UNITS

-40

+20

-100

-53

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C=25^oC

T_C=100^oC

T_C=25^oC

T_C=100^oC

Continuous Drain Current ^{(Note 4)}

Pulsed Drain Current ^{(Note 1)}

I_D

I_DM

-400

69.4

27.8

Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy ^{(Note 6)}

245

E_AS

T_J,T_STG

R_θJC

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55~150

Junction to Case

1.8

Typical Thermal Resistance ^{(Note 4,5)}

^oC/W

Junction to Ambient

R_θJA

62.5

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2018 Version1.0

1/7

12 3 4 5 6 7

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