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ASDM40N80Q

更新时间： 2024-10-31 17:15:51

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	1836K
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ASDM40N80Q 数据手册

ASDM40N80Q

40V N-Channel MOSFET

Features

•

Low On-Resistance

Product Summary

•

Fast Switching Speed

100% avalanche tested

Lead Free and Green Devices

V_DSS

mΩ

3.5

R_{DS(ON)-Typ@VGS=10V}

I_D

Available (RoHS Compliant)

Application

DC/DC Converters

On board power for server

Synchronous rectification

•

Top View

DFN5*6-8

N-Channel

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Common Ratings (T_C=25°C Unless Otherwise Noted)

V_DSS

V_GSS

T_J

Drain-Source Voltage

±20

Gate-Source Voltage

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

Diode Continuous Forward Current

150

°C

T_STG

I_S

-55 to 150

T_C=25°C

Mounted on Large Heat Sink

①

300μs Pulse Drain Current Tested

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

T_C=25°C

T_C=100°C

T_A=25°C

T_A=70°C

320

I_DP

Continuous Drain Current@T_C(V_GS=10V)

②

I_D

③

Continuous Drain Current@T_A(V_GS=10V)

Maximum Power Dissipation@T_C

P_D

4.2

2.7

③

Maximum Power Dissipation@T_A

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2018 Version1.0

1/9

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