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ASDM40R015NT

更新时间： 2024-10-31 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM40R015NT 数据手册

ASDM40R015NT

40V N-Channel MOSFET

Features

•

technology

dissipation

Split Gate Trench MOSFET

Product Summary

Excellent package for heat

•

High density cell design for low R

DS(ON)

VDS

1.5

200

mΩ

RDS(on),max.@ VGS=10V

$SSOLFDWLRQV

•

DC-DC Converters

Power management functions

Synchronous-rectification applications

TOLL

Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)

■

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±20

225

Gate-source Voltage

Drain Current （Silicon limited）

T_C=25℃

200

Drain Current ^A

I_D

T_C=100℃

Pulsed Drain Current ^B

Avalanche energy ^C

I_DM

EAS

600

450

Total Power Dissipation ^D

P_D

114

Thermal Resistance Junction-to-Case

Thermal Resistance Junction-to-Ambient ^E

Junction and Storage Temperature Range

R_θJC

R_θJA

1.1

℃/ W

T_J,T_STG

-55～+150

℃

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

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ASDM4-1.0000MHZ-C-T	ABRACON	获取价格	CMOS Output Clock Oscillator, 1MHz Nom, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINIATURE, PLASTIC, QFN, 4 P
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