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ASDM40N40E

更新时间： 2024-10-31 17:15:39

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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8页	1581K
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ASDM40N40E 数据手册

ASDM40N40E

40V N-Channel MOSFET

General Features

Product Summary

● Low On-Resistance

V DS

6.0

mΩ

● 100% avalanche tested

● Fast Switching Speed

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● DC/DC Converters

● On board power for server

● Synchronous rectification

DFN3.3*3.3-8

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

I_DM

EAS

P_D

160

Single Pulsed Avalanche Energy

℃/W

℃

Power Dissipation

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Case

1.92

R_θJC

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2018 Version1.0

1/8

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