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ASDM40N190HQ

更新时间： 2024-10-31 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		光电二极管
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6页	857K
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ASDM40N190HQ 数据手册

ASDM40N190HQ

40V N-Channel MOSFET

ꢉꢊꢅꢆꢋꢌꢊꢍ

●

Trench power MOSFET technology

●

N-channel, normal level

Product Summary

●

Enhanced avalanche ruggedness

V DS

1.4

mΩ

●

100% Avalanche tested

●

Maximum 175°C junction

temperature

R DS(on),Max@ VGS=10 V

I D

●

AEC-Q101 qualified

190

ꢀꢁꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢃꢇꢈ

●

DC/DC and AC/DC converters

●

Brushed and BLDC motor drive systems

PDFN5×6-8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS, at T_C= 25^oC, unless otherwise specified

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

V_DS

V_GS

Drain-source Voltage

Gate-source Voltage

± 20

190

Tc=25^oC

Tc=100^oC

Drain current

I_D

137

Tc=25^oC

Tc=100^oC

I_DM

P_tot

E_AS

Pulsed drain current

760

Total power dissipation

100

^oC

Avalanche energy, single pulse

288

T_j, T_stg

Operating and storage temperature

- 55 ~ 175

THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

R_θJC

RATING

1.5

UNIT

K/W

Thermal resistance, junction - case

Thermal resistance, junction - ambient

R_θJA

www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2022 Version1.0

1/6

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