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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | ISOTOP | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 396 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 110 ns | VCEsat-Max： | 3.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT15GN120BDQ1 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT15GN120BDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT15GN120BDQ1G | ADPOW |
获取价格 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT15GN120BDQ1G | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT15GN120K | ADPOW |
获取价格 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT15GN120KG | ADPOW |
获取价格 |
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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| APT15GN120SDQ1 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT15GN120SDQ1G | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
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| APT15GP60B | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BD1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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