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APT15GN120BDQ1

更新时间： 2024-11-25 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 165K
描述
High Speed PT IGBT

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APT15GN120BDQ1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.14
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：45 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：195 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：355 ns
标称接通时间 (ton)：19 nsBase Number Matches：1

APT15GN120BDQ1 数据手册

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APT15GN120BDQ1  
APT15GN120SDQ1  
APT15GN120BDQ1(G) APT15GN120SDQ1(G)  
1200V  
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra  
low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum  
conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a  
slightly positive VCE(ON) temperature coefficient. Low gate charge simplifies gate drive  
design and minimizes losses.  
(B)  
D3PAK  
(S)  
C
E
G
G
C
• 1200V Field Stop  
• Trench Gate: Low VCE(on)  
• Easy Paralleling  
E
C
E
G
Applications:Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
APT15GN120BD_SDQ1(G)  
VCES  
Collector-Emitter Voltage  
1200  
Volts  
VGE  
IC1  
Gate-Emitter Voltage  
±±0  
45  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
IC2  
22  
Amps  
1
Pulsed Collector Current  
ICM  
45  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
45A @ 1200V  
195  
SSOA  
PD  
Total Power Dissipation  
Watts  
°C  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
±00  
TL  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.06±" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
1200  
5.0  
TYP  
MAX  
Units  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 0.5mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 600µA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 125°C)  
5.8  
1.7  
2.0  
6.5  
2.1  
Volts  
1.4  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
200  
ICES  
µA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
Intergrated Gate Resistor  
TBD  
120  
IGES  
nA  
RGINT  
Ω
N/A  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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