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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 56 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 157 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 20 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT15GP60BD1 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| APT15GP60BDF1 | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BDL | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT15GP60BDLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT15GP60BDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BDQ1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
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| APT15GP60BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
|
| APT15GP60BSC | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| APT15GP60K | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60S | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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