Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT15GT120BRDQ1

APT15GT120BRDQ1

更新时间： 2024-11-25 08:33:15

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Thunderbolt IGBT

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APT15GT120BRDQ1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	137 ns
标称接通时间 (ton)：	21 ns	Base Number Matches：	1

APT15GT120BRDQ1 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

^AP1^T2¹⁵0^G0^TV^120BRDQ1(G)

APT15GT120BRDQ1

APT15GT120BRDQ1G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Thunderbolt IGBT^®

TheThunderblot IGBT^®isanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. UsingNon-Punch

Through Technology, the Thunderblot IGBT^®offers superior ruggedness and ultrafast

switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• High Freq. Switching to 50KHz

• Ultra Low Leakage Current

• Low Tail Current

• RBSOA and SCSOA Rated

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT15GT120BRDQ1(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Gate-Emitter Voltage

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

45A @ 960V

250

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 0.6mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

1200

4.5

5.5

3.0

3.8

6.5

3.6

Volts

2.5

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

200

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

TBD

480

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT15GT120BRDQ1G	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT15GT120BRDQ1G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT15GT120BRE3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
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APT15GT120BRG	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
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