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APT15GT120BRG

更新时间： 2024-11-25 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Thunderbolt IGBT

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APT15GT120BRG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.15	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	137 ns	标称接通时间 (ton)：	21 ns
Base Number Matches：	1

APT15GT120BRG 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT15GT120BR_SR(G)

APT15GT120BR

APT15GT120SR

APT15GT120BR(G) APT15GT120SR(G)

1200V

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Thunderbolt IGBT^®

(B)

D³PAK

TheThunderblot IGBT^®is a new generation of high voltage power IGBTs.Using Non- Punch

Through Technology, the Thunderblot IGBT^®offers superior ruggedness and ultrafast

switching speed.

(S)

• Low Forward Voltage Drop

• Low Tail Current

• High Freq. Switching to 50KHz

• Ultra Low Leakage Current

• RBSOA and SCSOA Rated

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT15GT120BR_SR(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

±±0

Gate-Emitter Voltage

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

±6

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

45A @ 960V

250

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

±00

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.06±" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 0.6mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

1200

4.5

5.5

±.0

±.8

6.5

±.6

Volts

2.5

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

TBD

480

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT15GT120SR	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
APT15GT120SRDQ1	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT15GT120SRDQ1G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
APT15GT120SRE3	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
APT15GT120SRG	MICROSEMI	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT15GT60BR	ADPOW	获取价格	The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of
APT15GT60BRD	ADPOW	获取价格	The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of
APT15GT60BRDQ1	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
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