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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 42 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 78 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 18 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 225 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 14 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT15GT60KRG | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMP |
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| APT15S20BCT | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT15S20BCTG | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247 |
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| APT15S20G | ADPOW |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMET |
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| APT15S20G | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| APT15S20K | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT15S20K | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT15S20KCT | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT15S20KCT | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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| APT15S20KCTG | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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