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APT15GT60KRG

更新时间： 2024-09-28 13:05:39

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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APT15GT60KRG 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	42 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	225 ns	标称接通时间 (ton)：	14 ns
Base Number Matches：	1

APT15GT60KRG 数据手册

APT15GT60BR

600V

31A

Thunderbolt IGBT^™

TO-247

The Thunderbolt IGBT^™is a new generation of high voltage power IGBTs.

UsingNon-PunchThroughTechnologytheThunderboltIGBT™offerssuperior

ruggedness and ultrafast switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• Low Tail Current

• High Freq. Switching to 150KHz

• Ultra Low Leakage Current

• RBSOA and SCSOA Rated

• Avalanche Rated

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT15GT60BR

UNIT

600

Collector-Emitter Voltage

V_CES

V_CGR

V_EC

V_GE

I_C1

Collector-Gate Voltage (R_GE= 20KΩ)

Emitter-Collector Voltage

Volts

Gate-Emitter Voltage

±20

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM1

I_CM2

E_AS

P_D

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 110°C

Single Pulse Avalanche Energy

Total Power Dissipation

135

-55 to 150

300

Watts

T_J,T_STGOperating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

°C

T_L

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

-15

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 0.5mA, T_j= -55°C)

PRELIMINAR

RBV_CESCollector-Emitter Reverse Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 50mA)

V_GE(TH) Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 400µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= I_C2, T_j= 25°C)

Volts

1.6

2.0

2.5

_CE(ON)

2.8

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= I_C2, T_j= 150°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 150°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V, V_CE= 0V)

I_CES

I_GES

µA

1000

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT15S20BCT	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20BCTG	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247
APT15S20G	ADPOW	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMET
APT15S20G	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
APT15S20K	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20K	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20KCT	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
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