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APT15GT60KRG

更新时间： 2024-11-16 13:05:39

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管高压栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

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APT15GT60KRG 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	42 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	225 ns	标称接通时间 (ton)：	14 ns
Base Number Matches：	1

APT15GT60KRG 数据手册

APT15GT60BR

600V

31A

Thunderbolt IGBT^™

TO-247

The Thunderbolt IGBT^™is a new generation of high voltage power IGBTs.

UsingNon-PunchThroughTechnologytheThunderboltIGBT™offerssuperior

ruggedness and ultrafast switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• Low Tail Current

• High Freq. Switching to 150KHz

• Ultra Low Leakage Current

• RBSOA and SCSOA Rated

• Avalanche Rated

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT15GT60BR

UNIT

600

Collector-Emitter Voltage

V_CES

V_CGR

V_EC

V_GE

I_C1

Collector-Gate Voltage (R_GE= 20KΩ)

Emitter-Collector Voltage

Volts

Gate-Emitter Voltage

±20

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM1

I_CM2

E_AS

P_D

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 110°C

Single Pulse Avalanche Energy

Total Power Dissipation

135

-55 to 150

300

Watts

T_J,T_STGOperating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

°C

T_L

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

-15

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 0.5mA, T_j= -55°C)

PRELIMINAR

RBV_CESCollector-Emitter Reverse Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 50mA)

V_GE(TH) Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 400µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= I_C2, T_j= 25°C)

Volts

1.6

2.0

2.5

_CE(ON)

2.8

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= I_C2, T_j= 150°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= V_CES, V_GE= 0V, T_j= 150°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V, V_CE= 0V)

I_CES

I_GES

µA

1000

±100

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

EUROPE

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord

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与APT15GT60KRG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT15S20BCT	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20BCTG	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247
APT15S20G	ADPOW	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMET
APT15S20G	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
APT15S20K	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20K	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20KCT	ADPOW	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT15S20KCT	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
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