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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.03 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 42 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 30 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 184 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 225 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 14 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STGW19NC60HD | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
19 A - 600 V - very fast IGBT |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT15GT60BRG | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| APT15GT60KR | ADPOW |
获取价格 |
The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of |
|
| APT15GT60KRG | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMP |
|
| APT15S20BCT | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| APT15S20BCTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247 |
|
| APT15S20G | ADPOW |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-257AA, HERMET |
|
| APT15S20G | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| APT15S20K | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| APT15S20K | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
|
| APT15S20KCT | ADPOW |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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