Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT15GP60BDF1

APT15GP60BDF1

更新时间： 2024-11-24 21:55:59

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT15GP60BDF1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	56 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	157 ns	标称接通时间 (ton)：	20 ns
Base Number Matches：	1

APT15GP60BDF1 数据手册

APT15GP60BDF1

600V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 400V, 19A

• 200 kHz operation @ 400V, 12A

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

Parameter

UNIT

Symbol

V_CES

V_GE

APT15GP60BDF1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

±20

±30

Volts

V_GEM

I_C1

Gate-Emitter Voltage Transient

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Amps

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 25°C

SSOA

P_D

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

65A @ 600V

250

Watts

°C

Total Power Dissipation

T_J,T_STG

T_L

-55 to 150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

BV_CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

600

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

4.5

2.2

2.1

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

500

3000

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT15GP60BDLG	MICROSEMI	获取价格	Resonant Mode Combi IGBT
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APT15GP60BDQ1G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
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