Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT15GP90BDQ1

APT15GP90BDQ1

更新时间： 2024-11-25 08:33:15

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT15GP90BDQ1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	43 A
集电极-发射极最大电压：	900 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	170 ns	标称接通时间 (ton)：	23 ns
Base Number Matches：	1

APT15GP90BDQ1 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT15GP90BDQ1(G)

900V

APT15GP90BDQ1

APT15GP90BDQ1G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

POWER MOS 7 IGBT

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch

Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching

applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• SSOA Rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

APT15GP90BDQ1(G)

UNIT

V_CES

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

900

Volts

V_GE

I_C1

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

60A @ 900V

250

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

900

TYP

MAX

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 350µA)

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

4.5

3.2

2.7

Volts

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

3.9

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 900V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

350

3000

±100

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 900V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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APT15GP90K	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT
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