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APT15GP60BDQ1

更新时间： 2024-11-25 08:33:15

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ADPOW		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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POWER MOS 7 IGBT

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APT15GP60BDQ1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-247, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	56 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	160 ns
标称接通时间 (ton)：	20 ns	Base Number Matches：	1

APT15GP60BDQ1 数据手册

APT15GP6^A0^PTB^15GD^P6Q^0BD1^Q1

TYPICALPERFORMANCECURVES

600V

POWER MOS 7 IGBT

TO-247

The POWER MOS 7^®IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.

Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,

high voltage switching applications and has been optimized for high frequency

switchmode power supplies.

• Low Conduction Loss

• Low Gate Charge

• 100 kHz operation @ 400V, 19A

• 200 kHz operation @ 400V, 12A

• SSOA rated

• Ultrafast Tail Current shutoff

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

UNIT

Parameter

Symbol

V_CES

V_GE

I_C1

APT15GP60BDQ1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

Volts

±20

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Total Power Dissipation

SSOA

P_D

65A @ 600V

250

Watts

°C

T_J,T_STGOperating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)CES

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 500µA)

V_GE(TH)Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

4.5

2.2

2.1

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

275

3000

±100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

I_GES

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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