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APT15GP60BDL

更新时间： 2024-11-25 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
Resonant Mode Combi IGBT

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APT15GP60BDL 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：56 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：157 ns
标称接通时间 (ton)：20 nsBase Number Matches：1

APT15GP60BDL 数据手册

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APT15GP60BDL(G)  
600V, 15A, V  
= 2.2V Typical  
CE(ON)  
Resonant Mode Combi IGBT®  
The POWER MOS 7® IGBT used in this resonant mode combi is a new generation of high  
voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high  
frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency  
switchmode power supplies.  
Features  
Typical Applications  
G
•
•
•
•
•
Low Conduction Loss  
•
•
•
•
•
Induction Heating  
Welding  
•
•
SSOA Rated  
C
E
Low Gate Charge  
RoHS Compliant  
C
E
Ultrafast Tail Current shutoff  
Low forward Diode Voltage (VF)  
Ultrasoft Recovery Diode  
Medical  
G
High Power Telecom  
Resonant Mode Phase Shifted  
Bridge  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
VCES  
VGE  
VGEM  
IC1  
600  
±20  
±30  
Volts  
Gate-Emitter Voltage Transient  
56  
27  
65  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Amps  
IC2  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
1
ICM  
Pulsed Collector Current  
@ TC = 25°C  
SSOA  
PD  
= 150°C  
Switching Safe Operating Area @ TJ  
Total Power Dissipation  
65A @ 600V  
250  
Watts  
°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TJ,TSTG  
TL  
-55 to 150  
300  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
600  
3
TYP  
MAX  
UNIT  
BVCES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1.0mA)  
4.5  
2.2  
2.1  
6
VGE(TH) Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Volts  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 25°C)  
VCE(ON)  
2.7  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 15A, Tj = 125°C)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
275  
2750  
±100  
ICES  
μA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)  
nA  
IGES  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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与APT15GP60BDL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT15GP60BDLG MICROSEMI

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 		Resonant Mode Combi IGBT
APT15GP60BDQ1 ADPOW

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 		POWER MOS 7 IGBT
APT15GP60BDQ1G MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
APT15GP60BG MICROSEMI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3
APT15GP60BSC MICROSEMI

获取价格

 		暂无描述
APT15GP60K ADPOW

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 		POWER MOS 7 IGBT
APT15GP60S MICROSEMI

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 		POWER MOS 7 IGBT
APT15GP90B ADPOW

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 		The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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 		The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs
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