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APT15GN120SDQ1

更新时间： 2024-11-25 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	165K
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High Speed PT IGBT

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APT15GN120SDQ1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.05
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	45 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	195 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	355 ns
标称接通时间 (ton)：	19 ns	Base Number Matches：	1

APT15GN120SDQ1 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT15GN120BD_SDQ1(G)

APT15GN120BDQ1

APT15GN120SDQ1

APT15GN120BDQ1(G) APT15GN120SDQ1(G)

1200V

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra

low V_CE(ON)and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum

conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a

slightly positive V_CE(ON)temperature coefﬁcient. Low gate charge simpliﬁes gate drive

design and minimizes losses.

(B)

D³PAK

(S)

• 1200V Field Stop

• Trench Gate: Low V_CE(on)

• Easy Paralleling

Applications:Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT15GN120BD_SDQ1(G)

V_CES

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±±0

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

45A @ 1200V

195

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

±00

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.06±" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

5.0

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 0.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 600µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

5.8

1.7

2.0

6.5

2.1

Volts

1.4

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

200

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

Intergrated Gate Resistor

TBD

120

I_GES

R_GINT

N/A

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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