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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.05 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 45 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 195 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 355 ns | 标称接通时间 (ton)： | 19 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT15GP60B | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BD1 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| APT15GP60BDF1 | ADPOW |
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POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BDL | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT15GP60BDLG | MICROSEMI |
获取价格 |
Resonant Mode Combi IGBT |
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| APT15GP60BDQ1 | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT15GP60BDQ1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
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| APT15GP60BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 |
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| APT15GP60BSC | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| APT15GP60K | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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