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APT15GN120K

更新时间： 2024-11-25 04:32:47

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ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

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APT15GN120K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	45 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	355 ns
标称接通时间 (ton)：	19 ns	Base Number Matches：	1

APT15GN120K 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT15GN120K(G)

1200V

APT15GN120K

APT15GN120KG*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBT's have ultra

low V_CE(ON)and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum

conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a

slightly positive V_CE(ON)temperature coefﬁcient. Low gate charge simpliﬁes gate drive

design and minimizes losses.

TO-220

• 1200V Field Stop

• Trench Gate: Low V_CE(on)

• Easy Paralleling

Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

APT15GN120K(G)

UNIT

V_CES

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

45A @ 1200V

195

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 0.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 600µA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 15A, T_j= 125°C)

1200

5.0

5.8

1.7

2.0

6.5

2.1

Volts

1.4

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

I_CES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

Intergrated Gate Resistor

TBD

120

I_GES

R_GINT

Ω

N/A

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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