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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1004R2BN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004R2BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT1004R2BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT1004R2CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-254ISO |
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| APT1004R2GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-257ISO |
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| APT1004R2KN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004RAN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-3 |
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| APT1004RBN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004RBN-BUTT | MICROSEMI |
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4.4A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT1004RBNG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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