5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT1004RGN
APT1004RGN PDF预览

APT1004RGN

更新时间： 2024-11-24 22:16:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

阅读下载

中文翻译

获取价格

APT1004RGN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A
最大漏极电流 (ID)：3.3 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：100 W最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT1004RGN 数据手册

 浏览型号APT1004RGN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT1004RGN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT1004RGN的Datasheet PDF文件第4页 
D
S
TO-257  
G
APT1004RGN 1000V 3.3A 4.00Ω  
TM  
POWER MOS IV  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS  
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol Parameter  
APT1004RGN  
1000  
UNIT  
VDSS  
Volts  
Drain-Source Voltage  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
3.3  
Amps  
IDM  
VGS  
1
13.2  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
±30  
Volts  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
100  
PD  
0.8  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
-55 to 150  
300  
°C  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic / Test Conditions  
UNIT  
Symbol  
BVDSS  
ID(ON)  
MIN  
TYP  
MAX  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
1000  
3.3  
Volts  
Amps  
Ohms  
2
On State Drain Current (VDS > ID(ON) x RDS(ON) Max, VGS = 10V)  
2
RDS(ON)  
Drain-Source On-State Resistance (VGS = 10V, 0.5 ID [Cont.])  
4.00  
250  
1000  
±100  
4
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IDSS  
µA  
IGSS  
nA  
VGS(TH)  
2
Volts  
SAFE OPERATING AREA CHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic  
Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Watts  
Amps  
VDS = 0.4 VDSS, IDS = PD / 0.4 VDSS, t = 1 Sec.  
IDS = ID [Cont.], VDS = PD / ID [Cont.], t = 1 Sec.  
SOA1  
Safe Operating Area  
100  
100  
3.3  
SOA2  
ILM  
Safe Operating Area  
Inductive Current Clamped  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
USA  
405 S.W. Columbia Street  
EUROPE  
Bend, Oregon 97702-1035  
F-33700 Merignac - France  
Phone: (541) 382-8028  
Phone: (33) 5 57 92 15 15  
FAX: (541) 388-0364  
FAX: (33) 5 56 47 97 61  
Avenue J.F. Kennedy Bât B4 Parc Cadéra Nord  
1234

中文翻译

下载PDF

与APT1004RGN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT1004RKN ADPOW

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT10050B2FLC ADPOW

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10050B2LC MICROSEMI

获取价格

 		21A, 1000V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TMAX-3
APT10050B2LC ADPOW

获取价格

 		Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage
APT10050B2VFR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VFR_04 ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VR ADPOW

获取价格

 		Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VRG MICROSEMI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10050CFN ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 24.5A I(D)
APT10050EN ADPOW

获取价格

 		Transistor

与APT1004RGN相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证