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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFX21N100Q | IXYS |
功能相似  |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10050CFN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 24.5A I(D) |
|
| APT10050EN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
|
| APT10050FN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 22.5A I(D) | SIP-TAB |
|
| APT10050JLC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement |
|
| APT10050JN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT10050JVFR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT10050JVFR_04 | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT10050JVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
|
| APT10050LLC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage |
|
| APT10050LLC | MICROSEMI |
获取价格 |
21A, 1000V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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