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APT10050LLC

更新时间： 2024-01-02 21:52:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
21A, 1000V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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APT10050LLC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT10050LLC 数据手册

APT10050B2LC

APT10050LLC

1000V 21A 0.500W

B2LC

POWER MOS VI

Power MOS VI^TMis a new generation of low gate charge, high voltage

N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is

achievedby optimizingthemanufacturingprocesstominimizeC_issandC_rss.

Lower gate charge coupled with Power MOS VI^TMoptimized gate layout,

delivers exceptionally fast switching speeds.

T-MAX™

TO-264

LLC

• Identical Specifications: T-MAX™ or TO-264 Package

• Lower Gate Charge & Capacitance

• 100% Avalanche Tested

• Easier To Drive

• Faster switching

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT10050

1000

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

520

Watts

W/°C

P_D

4.16

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

2500

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1000

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.500

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

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