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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT10057WVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10060EN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT10078BFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10078BFLL | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT10078BFLL_06 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10078BFLLG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| APT10078BLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10078BLL_04 | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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| APT10078BLLG | MICROSEMI |
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| APT10078SFLL | ADPOW |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode po |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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