APT10090BLL

更新时间： 2024-02-29 20:45:04

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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APT10090BLL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.29	雪崩能效等级（Eas）：	1210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

APT10090BLL 数据手册

APT10090BLL

APT10090SLL

1000V 12A 0.900W

BLL

POWER MOS 7

Power MOS 7^TMis a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^TMby significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^TMcombines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

D³PAK

TO-247

SLL

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• IncreasedPowerDissipation

• Easier To Drive

• TO-247 or Surface Mount D³PAK Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT10090

1000

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-SourceVoltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-SourceVoltageContinuous

±30

Gate-SourceVoltageTransient

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

LinearDeratingFactor

Watts

W/°C

300

P_D

2.4

T_J,T_STG

T_L

OperatingandStorageJunctionTemperatureRange

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

-55 to 150

300

°C

Amps

I_AR

Avalanche Current (Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

1210

Single Pulse Avalanche Energy

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1000

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.90

100

500

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 1mA)

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend,Oregon97702-1035

F-33700Merignac-France

Phone:(541)382-8028

Phone:(33) 5 57 92 15 15

FAX:(541)388-0364

FAX:(33) 5 56 47 97 61

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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