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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 77 ns | 最大开启时间（吨）： | 43 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1004RBNG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT1004RBN-GULLWING | MICROSEMI |
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4.4A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT1004RBNR | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-247AD |
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| APT1004RCN | ADPOW |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004RDN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT1004RGN | ADPOW |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004RKN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT10050B2FLC | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT10050B2LC | MICROSEMI |
获取价格 |
21A, 1000V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TMAX-3 |
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| APT10050B2LC | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage |
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