Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT10050B2LC

APT10050B2LC

更新时间： 2024-02-18 13:05:41

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅
页数	文件大小	规格书
2页	72K
描述
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT10050B2LC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	其他特性：	HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT10050B2LC 数据手册

APT10050B2LC

APT10050LLC

1000V 21A 0.500W

B2LC

POWER MOS VI

Power MOS VI^TMis a new generation of low gate charge, high voltage

N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is

achievedby optimizingthemanufacturingprocesstominimizeC_issandC_rss.

Lower gate charge coupled with Power MOS VI^TMoptimized gate layout,

delivers exceptionally fast switching speeds.

T-MAX™

TO-264

LLC

• Identical Specifications: T-MAX™ or TO-264 Package

• Lower Gate Charge & Capacitance

• 100% Avalanche Tested

• Easier To Drive

• Faster switching

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT10050

1000

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

520

Watts

W/°C

P_D

4.16

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

2500

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1000

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 0.5 I_D[Cont.])

Ohms

µA

0.500

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= V_DSS, V_GS= 0V)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 0.8 V_DSS, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

250

±100

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

USA

405 S.W. Columbia Street

Chemin de Magret

Bend, Oregon 97702-1035

F-33700 Merignac - France

Phone: (541) 382-8028

Phone: (33) 5 57 92 15 15

FAX: (541) 388-0364

FAX: (33) 5 56 47 97 61

EUROPE

中文翻译

下载PDF

与APT10050B2LC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT10050B2VFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VFR_04	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10050B2VRG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT10050CFN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1KV V(BR)DSS \| 24.5A I(D)
APT10050EN	ADPOW	获取价格	Transistor
APT10050FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| SIP-TAB
APT10050JLC	ADPOW	获取价格	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement
APT10050JN	ADPOW	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT10050JVFR	ADPOW	获取价格	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

与APT10050B2LC相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT10050B2LC

APT10050B2LC 技术参数

APT10050B2LC 数据手册

与APT10050B2LC相关器件

与APT10050B2LC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT10050B2LC

APT10050B2LC 技术参数

APT10050B2LC 数据手册

与APT10050B2LC相关器件

与APT10050B2LC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？