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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 4.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 94 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 38 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1004RAN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-3 |
|
| APT1004RBN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT1004RBN-BUTT | MICROSEMI |
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4.4A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT1004RBNG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT1004RBN-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
4.4A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
|
| APT1004RBNR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TO-247AD |
|
| APT1004RCN | ADPOW |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT1004RDN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT1004RGN | ADPOW |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
| APT1004RKN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
|
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