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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP20N15AGH-HF
AP20N15AGH-HF PDF预览

AP20N15AGH-HF

更新时间： 2024-09-15 12:26:39
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP20N15AGH-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：20.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AP20N15AGH-HF 数据手册

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AP20N15AGH-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
150V  
100mΩ  
20.5A  
▼ Lower Gate Charge  
▼ Fast Switching Characteristic  
G
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
Description  
Advanced Power MOSFETs from APEC provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and cost-  
effectiveness.  
G
D
S
TO-252(H)  
The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial  
surface mount applications and suited for low voltage applications  
such as DC/DC converters.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
150  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
20.5  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
13  
A
80  
A
PD@TC=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
89.2  
W
℃
℃
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
1.4  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance, Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)3  
Rthj-a  
62.5  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201011091  
1234

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与AP20N15AGH-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP20N15AGP-HF A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N15GH A-POWER

获取价格

 		TO-252
AP20N15GH-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N15GI A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR 20 A, 150 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, T
AP20N15GI-HF A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP20N-200KG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 30Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol
AP20N-200KG-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 30Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol
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AP20N-500KG-STICK FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 70Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol
AP20N-700KG FUJIKURA

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 		Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho

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