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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP20N15GI-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20N-200KG | FUJIKURA |
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Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 30Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol |
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| AP20N-200KG-STICK | FUJIKURA |
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Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 30Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol |
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| AP20N24-ZERO | GLENAIR |
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AP 系列24W是 HIECUBE 为客户提供的小型封装形式的高性能模块电源，该系列电源具 |
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| AP20N-500KG-STICK | FUJIKURA |
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Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 70Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Hol |
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| AP20N-700KG | FUJIKURA |
获取价格 |
Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho |
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| AP20N-700KG-STICK | FUJIKURA |
获取价格 |
Peizoresistive Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 1.5%, 4.6325-4.7675V, Rectangular, Through Ho |
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| AP20NA010DS | A-POWER |
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TO-263 |
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| AP20P02GH | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP20P02GJ | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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