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74AUP2G00GM,125

更新时间： 2024-11-19 10:16:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
21页	275K
描述
74AUP2G00 - Low-power dual 2-input NAND gate QFN 8-Pin

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74AUP2G00GM,125 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFN	包装说明：	1.60 X 1.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-255, SOT902-1, QFN-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.58
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	S-PQCC-N8
JESD-609代码：	e4	长度：	1.6 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	2	输入次数：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VQCCN	封装等效代码：	LCC8,.06SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	24.9 ns	传播延迟（tpd）：	24.9 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	0.5 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.6 mm
Base Number Matches：	1

74AUP2G00GM,125 数据手册

74AUP2G00

Low-power dual 2-input NAND gate

Rev. 8 — 5 February 2013

Product data sheet

1. General description

The 74AUP2G00 provides dual 2-input NAND function.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully specified for partial power-down applications using I_OFF. The I_OFF

circuitry disables the output, preventing a damaging backflow current through the device

when it is powered down.

2. Features and benefits

 Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

 High noise immunity

 Complies with JEDEC standards:

 JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

 JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

 JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

 JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

 JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

 ESD protection:

 HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V

 MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

 CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

 Low static power consumption; I_CC= 0.9 A (maximum)

 Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78 Class II

 Inputs accept voltages up to 3.6 V

 Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

 I_OFFcircuitry provides partial power-down mode operation

 Multiple package options

 Specified from 40 C to +85 C and 40 C to +125 C

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AUP2G00GN	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual 2-input NAND gateProduction
74AUP2G00GS	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual 2-input NAND gateProduction
74AUP2G00GT	NXP	获取价格	Low-power dual 2-input NAND gate
74AUP2G00GT	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual 2-input NAND gateProduction
74AUP2G00GX	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual 2-input NAND gateProduction
74AUP2G02	NXP	获取价格	Low-power dual 2-input NOR gate
74AUP2G02	DIODES	获取价格	Dual 2 Input NOR Logic Gates
74AUP2G02DC	NXP	获取价格	Low-power dual 2-input NOR gate
74AUP2G02DC	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual 2-input NOR gateProduction
74AUP2G02DC-G	NXP	获取价格	暂无描述

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