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74AUP2G04GF

更新时间： 2024-11-19 03:44:15

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
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18页	68K
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Low-power dual inverter

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74AUP2G04GF 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	VSON, SOLCC6,.04,14
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	系列：	AUP/ULP/V
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
长度：	1 mm	负载电容（CL）：	30 pF
逻辑集成电路类型：	INVERTER	最大I（ol）：	0.0017 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
输入次数：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VSON
封装等效代码：	SOLCC6,.04,14	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE	包装方法：	TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	20.9 ns	传播延迟（tpd）：	20.9 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	0.5 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.35 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1 mm
Base Number Matches：	1

74AUP2G04GF 数据手册

74AUP2G04

Low-power dual inverter

Rev. 01. — 16 January 2006

Preliminary data sheet

1. General description

The 74AUP2G04 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device,

superior to most advanced CMOS compatible TTL families.

Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial Power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

The 74AUP2G04 provides two inverting buffers.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

■ High noise immunity

■ Complies with JEDEC standards:

◆ JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

◆ JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

◆ JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

◆ JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

◆ JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114-C Class 3A. Exceeds 5000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101-C exceeds 1000 V

■ Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

■ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

■ Inputs accept voltages up to 3.6 V

■ Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

■ I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74AUP2G04GF,132	NXP	获取价格	74AUP2G04 - Low-power dual inverter SON 6-Pin
74AUP2G04GM	NXP	获取价格	Low-power dual inverter
74AUP2G04GM	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual inverterProduction
74AUP2G04GM,115	NXP	获取价格	74AUP2G04 - Low-power dual inverter SON 6-Pin
74AUP2G04GM,132	NXP	获取价格	74AUP2G04 - Low-power dual inverter SON 6-Pin
74AUP2G04GN	NXP	获取价格	AUP/ULP/V SERIES, DUAL 1-INPUT INVERT GATE, PDSO6, 0.90 X 1 MM, 0.35 MM HEIGHT, SOT-1115,
74AUP2G04GN	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual inverterProduction
74AUP2G04GS	NEXPERIA	获取价格	Low-power dual inverterProduction
74AUP2G04GW	NXP	获取价格	Low-power dual inverter
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