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5SMX12K1273

更新时间： 2024-01-12 20:58:46

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ABB		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	68K
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IGBT-Die

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5SMX12K1273 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	540 ns	标称接通时间 (ton)：	260 ns
Base Number Matches：	1

5SMX12K1273 数据手册

5SMX 12K1273

IGBT characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min typ max Unit

Collector (-emitter)

breakdown voltage

V_(BR)CESV_GE= 0 V, I_C= 1 mA, T_vj= 25 °C

1200

1.7

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

1.9

2.1

2.3

Collector-emitter

saturation voltage

V_{CE sat}

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

100

µA

Collector cut-off current

I_CES

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V

300

Gate leakage current

Gate-emitter threshold voltage

Gate charge

I_GES

V_GE(TO)

Q_ge

-200

4.5

200

6.5

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V, T_vj= 125 °C

I_C= 3 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25 °C

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, V_GE= -15 ..15 V

710

6.92

0.46

0.29

Input capacitance

C_ies

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz,

T_vj= 25 °C

Output capacitance

C_oes

C_res

Reverse transfer capacitance

Internal gate resistance

R_Gint

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

170

195

V_CC= 600 V, I_C= 75 A,

R_G= 10 W, V_GE= ±15 V,

L_s= 60 nH,

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

inductive load

415

470

V_CC= 600 V, I_C= 75 A,

R_G= 15 W, V_GE= ±15 V,

L_s= 60 nH,

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

inductive load

V_CC= 600 V, I_C= 75 A,

V_GE= ±15 V, R_G= 10 W,

L_s= 60 nH,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

6.3

9.2

Turn-on switching energy

E_on

inductive load,

FWD: 5SLX12F1200

V_CC= 600 V, I_C= 75 A,

V_GE= ±15 V, R_G= 15 W,

L_s= 60 nH,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

4.9

7.8

Turn-off switching energy

Short circuit current

E_off

inductive load

t_psc≤ 10 μs, V_GE= 15 V, T_vj= 125 °C,

I_SC

420

V_CC= 900 V, V_CEM≤ 1200 V

Characteristic values according to IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA 1633-00 June 05

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