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5SNE0800E3301

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
品牌 Logo 应用领域
ABB 双极性晶体管
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9页 279K
描述
IGBT Module

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VCE  
IC  
=
=
3300 V  
800 A  
ABB HiPakTM  
IGBT Module  
5SNE 0800E330100  
PRELIMINARY  
Doc. No. 5SYA1562-01 July 07  
· Low-loss, rugged SPT chip-set  
· Smooth switching SPT chip-set for  
good EMC  
· Industry standard package  
· High power density  
· AlSiC base-plate for high power  
cycling capability  
· AlN substrate for low thermal  
resistance  
1)  
Maximum rated values  
Parameter  
Symbol Conditions  
min max Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
Gate-emitter voltage  
Total power dissipation  
DC forward current  
Peak forward current  
VCES  
IC  
3300  
800  
V
A
A
V
W
A
A
VGE = 0 V, Tvj ³ 25 °C  
Tc = 80 °C  
ICM  
VGES  
Ptot  
IF  
tp = 1 ms, Tc = 80 °C  
1600  
20  
-20  
Tc = 25 °C, per switch (IGBT)  
Either diode  
7700  
800  
IFRM  
1600  
VR = 0 V, Tvj = 125 °C,  
tp = 10 ms, half-sinewave, either diode  
Surge current  
IFSM  
tpsc  
8000  
10  
A
VCC = 2500 V, VCEM CHIP £ 3300 V  
IGBT short circuit SOA  
µs  
VGE £ 15 V, Tvj £ 125 °C  
Isolation voltage  
Visol  
Tvj  
t = 1 min, f = 50 Hz  
6000  
150  
125  
125  
125  
6
V
Junction temperature  
Junction operating temperature  
Case temperature  
°C  
°C  
°C  
°C  
Tvj(op)  
Tc  
-40  
-40  
-40  
4
Storage temperature  
Tstg  
Ms  
Base-heatsink, M6 screws  
Main terminals, M8 screws  
Auxiliary terminals, M4 screws  
2)  
Mounting torques  
Nm  
Mt1  
Mt2  
8
10  
2
3
1)  
2)  
Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747  
For detailed mounting instructions refer to ABB Document No. 5SYA2039  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
1234567...9

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