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5SMY12M1200

更新时间： 2024-01-19 17:13:31

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ABB		晶体晶体管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
IGBT-Die

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5SMY12M1200 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	605 ns
标称接通时间 (ton)：	280 ns	Base Number Matches：	1

5SMY12M1200 数据手册

V_CE

I_C

1200 V

150 A

IGBT-Die

5SMY 12M1200

Die size: 13.5 13.5 mm

Doc. No. 5SYA1639-01 Sep 06

· Ultra low loss thin IGBT die

· Highly rugged SPT⁺design

· Large bondable emitter area

Maximum rated values

Parameter

Symbol Conditions

min max Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

Peak collector current

Gate-emitter voltage

V_CES

I_C

1200

150

300

V_GE= 0 V, T_vj³ 25 °C

I_CM

Limited by T_vjmax

V_GES

-20

-40

V_CC= 900 V, V_CEM£ 1200 V

IGBT short circuit SOA

Junction temperature

t_psc

T_vj

µs

°C

V_GE£ 15 V, T_vj£ 125 °C

150

Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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