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5SMX12K1701

更新时间： 2024-02-23 15:35:19

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ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	83K
描述
IGBT-Die

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5SMX12K1701 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	290 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12K1701 数据手册

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Doc. No. 5SYA1619-01 July 03

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Tiy 8qvv

v h Vv

Collector-emitter voltage

DC collector current

Peak collector current

Gate-emitter voltage

V_CES

I_C

1700

V_GE= 0 V, T_vj≥ 25 °C

I_CM

Limited by T_vjmax

150

V_GES

-20

-40

V_CC=1300 V, V_CEM≤ 1700 V

V_GE≤ 15 V, T_vj≤ 125 °C

IGBT short circuit SOA

Junction temperature

t_psc

T_vj

µs

°C

150

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

677ꢀTvrꢁyhqꢀGqꢂꢀTrvpqpꢁꢀꢁrrꢁrꢀurꢀꢁvtuꢀꢀpuhtrꢀrpvsvphvꢀvuꢀvprꢃ

12 3 4 5

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