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5SMX12K1701

更新时间： 2024-02-22 07:25:19

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ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	83K
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IGBT-Die

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技术参数
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5SMX12K1701 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	290 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12K1701 数据手册

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DB7Uꢀpuhꢁhprꢁvvpꢀhyr

Qhꢁhrrꢁ

Tiy 8qvv

v h Vv

Collector (-emitter)

breakdown voltage

V_(BR)CESV_GE= 0 V, I_C= 1 mA, T_vj= 25 °C

1700

2.1

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

2.3

2.6

2.7

Collector-emitter

saturation voltage

V_{CE sat}

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

100

µA

Collector cut-off current

I_CES

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V

800

Gate leakage current

Gate-emitter threshold voltage

Gate charge

I_GES

V_GE(TO)

Q_ge

-500

4.5

500

6.5

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 125 °C

I_C= 3 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25 °C

I_C= 75 A, V_CE= 900 V, V_GE= -15 ..15 V

630

6.9

Input capacitance

C_ies

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz,

T_vj= 25 °C

Output capacitance

C_oes

C_res

0.48

0.29

Reverse transfer capacitance

Internal gate resistance

R_Gint

Ω

T_vj= 25 °C

170

180

100

110

420

500

V_CC= 900 V, I_C= 75 A,

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

R_G= 15 Ω, V_GE= 15 V,

L_σ= 160 nH,

inductive load

t_r

V_CC= 900 V, I_C= 75 A,

R_G= 15 Ω, V_GE= 15 V,

L_σ= 160 nH,

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

inductive load

110

V_CC= 900 V, I_C= 75 A,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

V_GE= ±15 V, R_G= 15 Ω,

Turn-on switching energy

E_on

L_σ= 160 nH,

inductive load,

FWD: 5SLX12G1700

V_CC= 900 V, I_C= 75 A,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

V_GE= ±15 V, R_G= 15 Ω,

Turn-off switching energy

Short circuit current

E_off

L_σ= 160 nH,

inductive load

t_pscꢀꢁꢂꢀ Vꢃꢀ9_GE= 15 V, T_vj= 125 °C,

_CC= 1300 V, V_CEMꢀꢁꢄꢂꢂꢀ9

I_SC

350

677ꢀTvrꢁyhqꢀGqꢂꢀTrvpqpꢁꢀꢁrrꢁrꢀurꢀꢁvtuꢀꢀpuhtrꢀrpvsvphvꢀvuꢀvprꢃ

Doc. No. 5SYA1619-01 July 03

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