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5SMX12N4507

更新时间： 2024-02-15 09:17:50

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ABB		晶体晶体管开关双极性晶体管通用开关
页数	文件大小	规格书
5页	74K
描述
IGBT-Die

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技术参数
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5SMX12N4507 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	4500 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1170 ns	标称接通时间 (ton)：	260 ns
Base Number Matches：	1

5SMX12N4507 数据手册

V_CE

I_C

4500 V

40 A

IGBT-Die

5SMX 12N4507

Die size: 14.3 14.3 mm

Doc. No. 5SYA1626-03 July 06

· Low loss, rugged SPT technology

· Smooth switching for good EMC

· Emitter metallisation optimized for press-pack packaging

· Passivation: SIPOS and Silicon Nitride plus Polyimide

Maximum rated values

Parameter

Symbol Conditions

min max Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

Peak collector current

Gate-emitter voltage

V_CES

I_C

V_GE= 0 V

4500

I_CM

Limited by T_vjmax

V_GES

-20

-40

V_CC= 3400 V, V_CEM£ 4500 V

IGBT short circuit SOA

Junction temperature

t_psc

T_vj

µs

°C

V_GE£ 15 V, T_vj£ 125 °C

125

Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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