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5SMX12N4507

更新时间： 2024-02-09 22:03:53
品牌 Logo 应用领域
ABB 晶体晶体管开关双极性晶体管通用开关
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
IGBT-Die

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5SMX12N4507 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：4500 V配置：SINGLE
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：GENERAL PURPOSE SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1170 ns标称接通时间 (ton)：260 ns
Base Number Matches：1

5SMX12N4507 数据手册

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5SMX 12N4507  
Unit  
Mechanical properties  
Parameter  
x
x
L W  
14.3 14.3  
Overall die  
mm  
mm  
mm  
exposed  
front metal  
x
x
L W (except gate pad)  
9.0 9.0  
Dimensions  
x
x
L W  
1.51 1.48  
gate pad  
thickness  
front (E)  
back (C)  
530 ± 20  
4 + 8  
µm  
µm  
µm  
AlSi1 + Al  
3)  
Metallization  
AlSi1 + TiNiAg  
1.8 + 1.2  
3)  
For assembly instructions refer to : IGBT and Diode chips from ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, Doc. No. 5SYA 2033.  
Outline drawing  
Note: all dimensions are shown in mm  
This is an electrostatic sensitive device, please observe the international standard IEC 60747-1, Chap. IX.  
This product has been designed and qualified for Industrial Level.  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1626-03 July 06  
page 3 of 5  
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