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5SMX12N4507

更新时间: 2024-01-21 07:33:13
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ABB 晶体晶体管开关双极性晶体管通用开关
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5页 74K
描述
IGBT-Die

5SMX12N4507 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.73
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):40 A
集电极-发射极最大电压:4500 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:S-XUUC-N2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
晶体管应用:GENERAL PURPOSE SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1170 ns标称接通时间 (ton):260 ns
Base Number Matches:1

5SMX12N4507 数据手册

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5SMX 12N4507  
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10  
0
VCE = 20 V  
25 °C  
125 °C  
125 °C  
25 °C  
VGE = 15 V  
6
0
1
2
3
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5
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0
1
2
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5
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10 11 12 13  
VCE [V]  
VGE [V]  
Fig. 1  
Typical onstate characteristics  
Fig. 2  
Typical transfer characteristics  
0.3  
0.4  
VCC = 2800 V  
RG = 33 ohm  
VGE = ±15 V  
Tvj = 125 °C  
Ls = 6 µH  
0.35  
0.3  
0.25  
0.2  
0.15  
0.1  
0.05  
0
Eoff  
0.25  
0.2  
Eoff  
Eon  
0.15  
0.1  
Eon  
VCC = 2800 V  
IC = 40 A  
VGE = ±15 V  
Tvj = 125 °C  
Ls = 6 µH  
0.05  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
0
50  
100  
150  
200  
250  
IC [A]  
RG [ohm]  
Typical switching characteristics vs  
collector current  
Typical switching characteristics vs  
gate resistor  
Fig. 3  
Fig. 4  
ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.  
Doc. No. 5SYA1626-03 July 06  
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