Datasheet > 5SMX12L1273

5SMX12L1273

更新时间： 2024-01-28 06:15:01

品牌	Logo	应用领域
ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	68K
描述
IGBT-Die

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5SMX12L1273 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Base Number Matches：	1

5SMX12L1273 数据手册

V_CE

I_C

1200 V

100 A

IGBT-Die

5SMX 12L1273

Die size: 12.6 12.6 mm

Doc. No. 5SYA 1634-00 June 05

· Low loss, rugged SPT technology

· Smooth switching for good EMC

· Minimized gate charge, short delay times

· Optimized for paralleling

· Large bondable emitter area

Maximum rated values

Parameter

Symbol Conditions

min max Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

Peak collector current

Gate-emitter voltage

V_CES

I_C

1200

100

200

V_GE= 0 V, T_vj³ 25 °C

I_CM

Limited by T_vjmax

V_GES

-20

-40

V_CC= 900 V, V_CEM£ 1200 V

IGBT short circuit SOA

Junction temperature

t_psc

T_vj

µs

°C

V_GE£ 15 V, T_vj£ 125 °C

150

Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与5SMX12L1273相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5SMX12L2510	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12L2511	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12M1273	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12M1701	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12M3300	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12M6500	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMX12N4507	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMY12H1200	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMY12J1200	ABB	获取价格	IGBT-Die
5SMY12K1201	ABB	获取价格	IGBT-Die