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5SMX12L2510

更新时间： 2024-01-31 16:42:16

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ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
IGBT-Die

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5SMX12L2510 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	655 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12L2510 数据手册

V_CE

I_C

2500 V

50 A

IGBT-Die

5SMX 12L2510

Die size: 12.4 12.4 mm

Doc. No. 5SYA 1622-03 Sep 05

· Low loss, rugged SPT technology

· Smooth switching for good EMC

· Large bondable emitter area

· Passivation: SIPOS and Silicon Nitride plus Polyimide

Maximum rated values

Parameter

Symbol Conditions

min max Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

Peak collector current

Gate-emitter voltage

V_CES

I_C

V_GE= 0 V

2500

I_CM

Limited by T_vjmax

100

V_GES

-20

-40

V_CC= 2000 V, V_CEM£ 2500 V

IGBT short circuit SOA

Junction temperature

t_psc

T_vj

µs

°C

V_GE£ 15 V, T_vj£ 125 °C

125

Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur per IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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