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5SMX12L2510

更新时间： 2024-01-27 00:53:38

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ABB		双极性晶体管
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5页	82K
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IGBT-Die

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5SMX12L2510 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	655 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12L2510 数据手册

5SMX 12L2510

100

V_CE= 25 V

25 °C

125 °C

25 °C

V_GE= 15 V

10 11 12 13

V_CE[V]

V_GE[V]

Fig. 1

Typical on-state characteristics

Fig. 2

Typical transfer characteristics

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

0.10

0.09

0.08

0.07

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

V_CC= 1250 V

R_G= 33 ohm

V_GE= ±15 V

T_vj= 125 °C

L_s= 2.4 µH

V_CC= 1250 V

I_C= 50 A

V_GE= ±15 V

T_vj= 125 °C

L_s= 2.4 µH

E_on

E_off

100

125

150

100

120

140

I_C[A]

R_G[ohm]

Typical switching characteristics vs

collector current

Typical switching characteristics vs

gate resistor

Fig. 3

Fig. 4

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA 1622-03 Sep 05

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