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5SMX12L2510

更新时间： 2024-02-21 19:32:49

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ABB		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
IGBT-Die

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技术参数
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5SMX12L2510 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	2500 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	S-XUUC-N1
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	655 ns	Base Number Matches：	1

5SMX12L2510 数据手册

5SMX 12L2510

IGBT characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min typ max Unit

Collector (-emitter)

breakdown voltage

V_(BR)CESV_GE= 0 V, I_C= 1 mA, T_vj= 25 °C

2500

2.0

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

2.5

3.1

2.9

Collector-emitter

saturation voltage

V_{CE sat}

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

100

µA

Collector cut-off current

I_CES

V_CE= 2500 V, V_GE= 0 V

1000

Gate leakage current

Gate-emitter threshold voltage

Gate charge

I_GES

V_GE(TO)

Q_ge

-500

500

7.5

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V, T_vj= 125 °C

I_C= 10 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25 °C

I_C= 50 A, V_CE= 1250 V, V_GE= -15 ..15 V

510

7.8

Input capacitance

C_ies

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 1 MHz,

T_vj= 25 °C

Output capacitance

C_oes

C_res

0.4

Reverse transfer capacitance

Internal gate resistance

0.13

R_Gint

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

380

390

255

265

690

790

320

350

V_CC= 1250 V, I_C= 50 A,

R_G= 33 W, V_GE= ±15 V,

L_s= 2400 nH,

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

inductive load

V_CC= 1250 V, I_C= 50 A,

R_G= 33 W, V_GE= ±15 V,

L_s= 2400 nH,

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

inductive load

V_CC= 1250 V, I_C= 50 A,

V_GE= ±15 V, R_G= 33 W,

L_s= 2400 nH,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

Turn-on switching energy

Turn-off switching energy

E_on

inductive load,

FWD: ½ 5SLX12L2510

V_CC= 1250 V, I_C= 50 A,

V_GE= ±15 V, R_G= 33 W,

L_s= 2400 nH,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

E_off

inductive load

t_psc≤ 10 μs, V_GE= 15 V, T_vj= 125 °C,

Short circuit current

I_SC

250

V_CC= 2000 V, V_CEM≤ 2500 V

Characteristic values according to IEC 60747 - 9

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA 1622-03 Sep 05

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